机译:短周期超晶格中的拉曼-布里渊电子密度
机译:通过插入超薄Znx(X = S,SE和TE)层形成短时间(ZnO)(5)/(Znx)(1)超晶格来调制ZnO的电子和光学性质。
机译:GaAsSb / GaAsN短周期超晶格作为覆盖层,用于改进的基于InAs量子点的光电
机译:短周期InAs / GaSb II型超晶格中的光激发载流子密度
机译:InAs / GaAs短周期应变层超晶格的分子束外延生长。
机译:基于密度泛函理论计算的短周期(GaAs)m(AlAs)n(mn≤10)超晶格的电子结构和物理性质的高通量研究
机译:短周期超晶格中的拉曼布里渊电子密度
机译:短周期(Gaas)n /(alas)n(001)超晶格的多频带耦合和电子结构。